Cientistas criam material que pode acelerar memória de computadores
Heteroestrutura combina camadas ferromagnéticas e ferroelétricas para controlar propriedades magnéticas por meio de tensão elétrica
Cientistas desenvolveram um material multiferróico bidimensional que funciona em temperatura ambiente, integrando ferromagnetismo e ferroeletricidade, permitindo controle magnético via tensão elétrica e revolucionando a eletrônica com novos dispositivos mais eficientes.
Imagine controlar o magnetismo de um material usando apenas um campo elétrico, e tudo isso em temperatura ambiente. Pesquisadores conseguiram exatamente isso ao criar um novo material multiferróico bidimensional, conforme revelado em um estudo na revista "Science", publicado em agosto.
A descoberta tem o potencial de revolucionar a eletrônica, possibilitando o desenvolvimento de memórias de computador mais rápidas e eficientes, além de sensores inovadores.
Liderado por Qinqin Wang, o grupo de pesquisa desenvolveu uma heteroestrutura baseada em materiais chamados de Van der Waals. A estrutura integra duas ordens físicas distintas em escala atômica: o ferromagnetismo e a ferroeletricidade, superando os problemas de degradação estrutural que ocorrem no afinamento de materiais convencionais.
Como a heteroestrutura bidimensional foi desenvolvida?
A estrutura foi construída pela combinação de duas camadas atômicas distintas que, unidas, permitiram a integração das ordens magnética e elétrica em uma única interface funcional de Van der Waals.
Segundo o artigo, os pesquisadores aplicaram pequenas tensões elétricas através da heteroestrutura para modular a coercividade magnética dessa camada em temperatura ambiente, comprovando a existência de acoplamento magnetelétrico direto entre as camadas.
Quais são as propriedades observadas pelos cientistas?
A resposta observada confirmou que estímulos elétricos externos provocam alterações diretas nas propriedades magnéticas da interface sem necessidade de resfriamento térmico.
Essa dependência em relação à espessura revelou que o efeito multiferróico ocorre na interface entre as camadas, abrindo caminho para o projeto e montagem artificial de novos dispositivos eletrônicos bidimensionais.
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