Os dois "Projeto Manhattan" da China não têm nada a ver com o átomo: querem quebrar a supremacia dos chips dos EUA
A máquina UVE híbrida de Shenzhen utiliza uma fonte de luz ultravioleta do tipo LDP, enquanto o projeto SSMB-UVE da Universidade Tsinghua propõe gerar radiação UVE utilizando um síncrotron
A China está apostando tudo. Não tem outra opção. Ou desenvolve sua própria tecnologia de fabricação de semicondutores de ponta, ou perderá sua disputa pela supremacia global com os EUA. Sem chips avançados 100% chineses, sua capacidade militar, o desenvolvimento de seus modelos de inteligência artificial (IA) e a competitividade de suas empresas de tecnologia serão afetados no médio prazo. Huawei e SMIC estão fabricando circuitos integrados avançados, mas utilizam máquinas da empresa neerlandesa ASML e uma tecnologia conhecida como multiple patterning, que compromete sua competitividade.
Esse cenário fez com que o governo chinês apoiasse, com subsídios muito generosos, empresas capazes de desenvolver equipamentos de fotolitografia de ponta, como SiCarrier, Shanghai Yuliangsheng, Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), Huawei e SMIC. No entanto, sua aposta mais contundente tomou a forma de dois projetos extraordinariamente ambiciosos, que buscam colocar nas mãos da China a capacidade de produzir semicondutores de ponta antes do fim da atual década.
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A máquina UVE híbrida de Shenzhen
Há exatamente um ano, em março de 2025, vazou a informação de que a Huawei estava testando o primeiro equipamento de fotolitografia de ultravioleta extremo (UVE) projetado e fabricado inteiramente na China. Ao longo dos últimos doze meses, as informações sobre essa máquina foram surgindo muito lentamente, mas hoje já sabemos o suficiente para levar esse projeto muito a sério. Seu objetivo é ...
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